A Method of Junction Temperature Estimation for SiC Power MOSFETs via Turn-on Saturation Current Measurement

[Article] On-line Junction Temperature Estimation of SiC Power MOSFETs through On-state Voltage Mapping

This paper deals with real-time estimation of the junction temperature of SiC power MOSFETs. The junction temperature of one device of a 4-switch module is real-time estimated by measuring its current and on-state voltage VON at each switching period and entering the temperature look-up table of the device. The temperature model is preliminarily obtained in a dedicated commissioning session, wh...

High temperature pulsed-gate robustness testing of SiC power MOSFETs

Thermal effects and junction temperature evaluation of Power MOSFETs

application of upfc based on svpwm for power quality improvement

در سالهای اخیر،اختلالات کیفیت توان مهمترین موضوع می باشد که محققان زیادی را برای پیدا کردن راه حلی برای حل آن علاقه مند ساخته است.امروزه کیفیت توان در سیستم قدرت برای مراکز صنعتی،تجاری وکاربردهای بیمارستانی مسئله مهمی می باشد.مشکل ولتاژمثل شرایط افت ولتاژواضافه جریان ناشی از اتصال کوتاه مدار یا وقوع خطا در سیستم بیشتر مورد توجه می باشد. برای مطالعه افت ولتاژ واضافه جریان،محققان زیادی کار کرده ...

Thermal instability effects in SiC Power MOSFETs

Silicon carbide (SiC) power MOSFETs are characterised by potentially thermally unstable behaviour over a broad range of bias conditions. In the past, such behaviour has been shown for silicon (Si) MOSFETs to be related to a reduction of Safe Operating Area at higher drain–source bias voltages. For SiC MOSFETs no characterisation exists yet. This paper presents a thorough experimental investigat...